Полуциклов нагружения
Потенциал любой точки этого поля можно найти расчетным путем. Вокруг полушарового заземлителя потенциал на поверхности земли изменяется по закону гиперболы. Применив уравнение потенциальной кривой для вертикального стержневого заземлителя, можно найти, что максимальный потенциал будет на самом заземлителе при расстоянии, равном половине диаметра заземлителя:
Потенциал любой точки этого поля можно найти расчетным путем. Вокруг полушарового заземлителя потенциал на поверхности земли изменяется по закону гиперболы. Применив уравнение потенциальной кривой для вертикального стержневого заземлителя, можно найти, что максимальный потенциал будет на самом заземлителе при расстоянии, равном половине диаметра заземлителя:
Рис. 3-4. Распределение потенциала на поверхности земли вокруг полушарового заземлителя.
Следовательно, потенциал на поверхности земли вокруг полушарового заземлителя изменяется по закону гиперболы, уменьшаясь от своего максимального значения ф3 до нуля по мере удаления от заземлителя (рис. 3-4).
Потенциальная кривая заземлителя любой формы на относительно большом от него расстоянии (по сравнению с размерами заземлителя) приближается к потенциальной кривой полушарового заземлителя и описывается ее уравнением, В,
Важно отметить также и то, что потенциал земли на расстоянии свыше 20 м от заземлителя любой формы, как и в случае полушарового заземлителя, можно считать практически равным нулю.
Сопротивление растеканию полушарового заземлителя радиусом г, м, получаем с использованием метода зеркального изображения (рис. 3-10), полагая, что воздушное пространство над поверхностью земли, где размещено зеркальное изображение действительного полушара, заполнено средой с таким же, как у земли, удельным сопротивлением р.
Рис. 3-10. К определению сопротивления растеканию полушарового заземлителя, расположенного у поверхности земли, методом зеркального изображения.
Следовательно, потенциал на поверхности земли вокруг полушарового заземлителя изменяется по закону гиперболы, уменьшаясь от максимального значения <р3 до нуля по мере удаления от заземлителя (рис. 3.5).
Потенциальная кривая заземлителя любой формы на относительно большом от него расстоянии (по сравнению с размерами заземлителя) приближается к потенциальной кривой полушарового заземлителя и описывается ее уравнением, В,
Важно отметить также и то, что потенциал земли на расстоянии свыше 20 м от заземлителя любой формы, как и в случае полушарового заземлителя, можно считать практически равным нулю.
Односторонне накопленная за цикл пластическая деформация — алгебраическая сумма ширин петель гистерезиса двух соседних полуциклов нагружения.
Циклически анизотропные материалы — материалы, у которых наблюдают неодинаковое сопротивление циклическому деформированию во время четных и нечетных полуциклов нагружения.
Аналитически диаграммы циклического деформирования интерпретируют в форме обобщенной диаграммы циклического деформирования, которая характеризует зависимость напряжений от деформаций по параметру числа полуциклов нагружения. Диаграммы строят в координатах S - е (рис. 2.4). Основное свойство обобщенной диаграммы состоит в том, что для мягкого, жесткого и промежуточного (между мягким и жестким) нагружении все конечные и текущие точки диаграмм деформирования /с-го полуцикла нагруже-
(при исходных уровнях напряжений а^, ет^0' и а^0-1) начало координат 5-е находится в точках Л, В, С. При этом кривая деформирования рассматриваемого полуцикла включает участок нагружения этого полуцикла и участок разгрузки предыдущего. Для построения обобщенной диаграммы циклического деформирования точки начала разгрузки для данного полуцикла нагружения совмещают. На правой части рис. 2.4 для k = 1 точки А, В, С совмещены и образована единая зависимость между напряжениями и деформациями ABCDKN. Аналогичные построения делают и для последующих полуциклов нагружения. В общем случае в связи с процессами циклического упрочнения или разупрочнения материала обобщенные диаграммы деформирования для различных полуциклов нагружения отличаются друг от друга. Обобщенная диаграмма циклическо-
По статическим диаграммам деформирования определяют пределы пропорциональности, текучести и прочности, равномерное и общее удлинение (ГОСТ 1497-73); по диаграммам циклического деформирования — пределы пропорциональности и текучести по параметру числа циклов или полуциклов нагружения, коэффициенты х4, а, р, характеризующие сопротивление циклическому деформированию, циклическое упрочнение, разупрочнение, стабилизацию.
Рис. 2.5. Зависимость ширины петли гистерезиса от числа полуциклов нагружения при циклическом упрочнении (а) и циклическом разупрочнении (б) материала.
лом полуциклов нагружения (k). пенях исходного нагружения (е(0)).
Строят диаграммы циклического деформирования в координатах 5 - е по параметру числа полуциклов нагружения, определяют параметры линейной Е^ или степенной т^ аппроксимации. По результатам испытаний при жестком нагружении находят параметры кривой малоциклового разрушения — показатели т и С f.
где -F(k) — функция числа полуциклов нагружения fc, зависящая от времени.
Обработка экспериментальных данных (циклически упрочняющийся алюминиевый сплав В-96, разупрочняющаяся сталь ТС и стабильный сплав В-95) показывает, что масштабный коэффициент в диапазоне рассматриваемых величин исходных деформаций е0/ет < 10 является функцией только числа полуциклов нагружения а = а (k). Независимость коэффициента масштаба от степени исходного деформирования вытекает непосредственно из факта существования обобщенной диаграммы циклического упругопластического
Экспериментальные значения (рис. 6.46) определялись для различных образцов и полуциклов нагружения графическим решением уравнения (6.55). Следует отметить, что характер изменения а с числом полуциклов нагружения соответствует характеру поцикловой трансформации ширины петель гистерезиса материалов и может быть выражен функцией вида
 Читайте далее:
 Повышенной утомляемости
Переносные электрические
Повышенного содержания
Параметров температуры
Повысилась температура
Поверхностью теплообмена
Поверхность резервуара
Поверхностей элементов
Переносные ацетиленовые генераторы
Поверхности элементов
Поверхности источника
Поверхности конструкции
Поверхности необходимо
Поверхности ограждения
Подпороговых импульсов
|
